为您找到了82条离子源供应
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上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型离子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以达到 400 mA.
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上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 160是目前考夫曼 KDC 系列最大,离子能量最强的栅极离子源, 适用于已知的所有离子源应用, 离子源 KDC 160 高输出设计,最大电流超过 1000 mA. 无需水冷, 降低安装要求并排除腔体漏水的几率, 双阴极设计,标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.
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上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 100 中型规格栅极离子源, 广泛加装在薄膜沉积大批量生产设备中, 考夫曼离子源 KDC 100 采用双阴极灯丝和自对准栅极, 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.
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上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
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上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 75: 紧凑栅极离子源, 离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用, KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.
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上海伯东美国 KRi 离子源 KDC 10 是 KRi 栅极型离子源 Gridded 系列最小的型号. 非常适合安装在较小的真空系统中进行预清洗, 离子束溅射和离子蚀刻工艺. 在 <1000eV 低能量下, 通 Ar 氩气时离子蚀刻的能力显著提高. KDC 10 离子源低损伤, 宽束设计, 低成本高效能等优点广泛应用在显微镜样品制备领域, 标准配置下 KDC 10 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 10mA.
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上海伯东美国原装进口考夫曼离子源 KDC 系列, 加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 增强设计输出高质量, 稳定的电子流.
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上海伯东代理美国 KRi 考夫曼品牌离子源, 推出 RF2100ICP Plasma Source 射频等离子体源及配套控制器, RF2100 等离子体放电, RFICP 在 2MHz, 电子自动匹配, 固定匹配网络. 离子源 RF2100ICP 适用于预清洁, 氧化和氮化处理, 辅助沉积, 以及各类半导体材料, 磁性金属等的制备.
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上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
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上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中,射频离子源 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1200 eV 范围内获得很高的离子密度. 可以输出最大 600 mA 离子流.
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